Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

10 550,00 kr

(exkl. moms)

13 200,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 15 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +4,22 kr10 550,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-4478
Tillv. art.nr:
SPD02N80C3ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Serie

CoolMOS

Kapseltyp

TO-252

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2.7Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

16nC

Maximal effektförlust Pd

42W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

JEDEC1

Fordonsstandard

Nej

This Infineon Cool MOS MOSFET uses new revolutionary high voltage technology and has high peak current capability.

It has ultra low gate charge