STMicroelectronics Typ N Kanal, MDmesh effekt-MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STB11NM80

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

36 557,00 kr

(exkl. moms)

45 696,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 30 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +36,557 kr36 557,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
188-8280
Tillv. art.nr:
STB11NM80T4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MDmesh effekt-MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

11A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Kapseltyp

TO-263

Serie

STB11NM80

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.4Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

150W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

43.6nC

Minsta arbetsstemperatur

-65°C

Framåtriktad spänning Vf

0.86V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.4mm

Höjd

4.37mm

Fordonsstandard

Nej

These N-channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.

Low input capacitance and gate charge

Low gate input resistance

Best RDS(on)Qg in the industry

Applications

Switching applications

Relaterade länkar