STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 5.2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh, SuperMESH

Se alla MOSFET-transistor
Få en mängdrabatt

Lägg till 50 till för att spara 270,80 kr

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

196,22 kr

(exkl. moms)

245,28 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 40 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 240 enhet(er) från den 20 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
Besparing
5 - 4539,244 kr196,22 kr-
50 - 12033,828 kr169,14 kr270,80 kr
125 +26,528 kr132,64 kr1 589,50 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
760-9516
Tillv. art.nr:
STB7NK80ZT4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Kapseltyp

TO-263

Serie

MDmesh, SuperMESH

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.8Ω

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

40nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

125W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-30V, +30V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

4.6mm

Längd

10.75mm

Bredd

10.4mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 700 V till 1 200 V, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.