Vishay 1 Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 1.4 A 800 V, TO-220FP
- RS-artikelnummer:
- 180-8699
- Tillv. art.nr:
- IRFIBE20GPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
107,86 kr
(exkl. moms)
134,825 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 15 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 21,572 kr | 107,86 kr |
| 50 - 120 | 19,398 kr | 96,99 kr |
| 125 - 245 | 18,324 kr | 91,62 kr |
| 250 - 495 | 17,248 kr | 86,24 kr |
| 500 + | 16,218 kr | 81,09 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 180-8699
- Tillv. art.nr:
- IRFIBE20GPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | TO-220FP | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.5Ω | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | ±20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 30W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 38nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp TO-220FP | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.5Ω | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs ±20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 30W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 38nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The Vishay IRFIBE20G is a N-channel power MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 800V.The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having TO-220 FULLPAK package. It offers drain to source resistance (RDS.) 6.5ohms at 10VGS.
Isolated package
High voltage isolation = 2.5 kVrms (t = 60 s; f = 60 Hz)
Sink to lead creepage distance = 4.8 mm
Relaterade länkar
- Vishay 1 Typ N Kanal 1.4 A 800 V, TO-220FP
- STMicroelectronics Typ N Kanal 5.2 A 800 V Förbättring TO-220FP, SuperMESH
- Vishay 1 Typ N Kanal Enkel 7.9 A 250 V, TO-220FP
- Vishay 1 Typ N Kanal Enkel 3.1 A 500 V, TO-220FP
- Vishay Typ N Kanal 7.2 A 100 V Förbättring TO-220FP, IRFI
- Vishay Typ N Kanal 5.5 A 600 V Förbättring TO-220FP, IRFI
- Vishay Typ N Kanal 4.6 A 500 V Förbättring TO-220FP, IRFI
- Vishay Typ N Kanal 6.6 A 500 V Förbättring TO-220FP, IRFI
