Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET, 5.3 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4900DY-T1-E3

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

40,81 kr

(exkl. moms)

51,01 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 6 990 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +4,081 kr40,81 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
180-8002
Tillv. art.nr:
SI4900DY-T1-E3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

5.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.058Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

3.1W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

4.8mm

Height

1.35mm

Width

4 mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21

Automotive Standard

No

The Vishay Siliconix SI4900DY series TrenchFET dual N channel power MOSFET has drain to source voltage of 60 V. It is used in LCD TV and CCFL inverter.

Pb-free

Halogen free

relaterade länkar