Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 30 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 178-3859
- Tillv. art.nr:
- SQJ415EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay Siliconix
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
216,60 kr
(exkl. moms)
270,75 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 5 975 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 8,664 kr | 216,60 kr |
| 100 - 475 | 8,431 kr | 210,78 kr |
| 500 - 975 | 8,198 kr | 204,95 kr |
| 1000 + | 7,988 kr | 199,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-3859
- Tillv. art.nr:
- SQJ415EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay Siliconix
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay Siliconix | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 20mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 45W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 63nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 1.07mm | |
| Längd | 5.99mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5 mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay Siliconix | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 20mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 45W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 63nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 1.07mm | ||
Längd 5.99mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5 mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
RoHS-status: Undantagen
Vishay MOSFET
The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 40V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 14mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 45W and continuous drain current of 30A. It has a minimum and a maximum driving voltage of 4.5V and 10V. It is used in automotive applications. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Halogen free
• Lead (Pb) free
• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C
• TrenchFET power MOSFET
Certifications
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg tested
• UIS tested
Relaterade länkar
- Vishay Siliconix Typ P Kanal 30 A 40 V Förbättring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal 9.4 A 200 V Förbättring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal 16 A 80 V Förbättring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ N Kanal 24.5 A 150 V Förbättring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ N Kanal 75 A 40 V Förbättring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix 2 Typ N MOSFET 8 Ben TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal 10 A 30 V Förbättring SC-70, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal 2.68 A 20 V Förbättring SC-70, TrenchFET AEC-Q101