Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 16 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 178-3719
- Tillv. art.nr:
- SQJ481EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay Siliconix
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
13 497,00 kr
(exkl. moms)
16 872,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 9 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 4,499 kr | 13 497,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-3719
- Tillv. art.nr:
- SQJ481EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay Siliconix
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay Siliconix | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 16A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 90mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 33nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 45W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 5.99mm | |
| Höjd | 1.07mm | |
| Bredd | 5 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay Siliconix | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 16A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 90mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 33nC | ||
Maximal effektförlust Pd 45W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 5.99mm | ||
Höjd 1.07mm | ||
Bredd 5 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
RoHS-status: Undantagen
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 80V and a maximum gate-source voltage of20V. It has drain-source resistance of 80mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 45W and continuous drain current of 16A. It has a minimum and a maximum driving voltage of 4.5V and 10V. It is used in automotive applications. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Halogen free
• Lead (Pb) free
• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C
• TrenchFET power MOSFET
Certifications
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg tested
• UIS tested
Relaterade länkar
- Vishay Siliconix Typ P Kanal 16 A 80 V Förbättring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal 9.4 A 200 V Förbättring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal 30 A 40 V Förbättring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ N Kanal 24.5 A 150 V Förbättring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ N Kanal 75 A 40 V Förbättring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix 2 Typ N MOSFET 8 Ben TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal 10 A 30 V Förbättring SC-70, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal 2.68 A 20 V Förbättring SC-70, TrenchFET AEC-Q101