Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 30 V Förbättring, 4 Ben, TO-252 IEC 61249
- RS-artikelnummer:
- 171-3651
- Tillv. art.nr:
- TSM060N03CP ROG
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
191,075 kr
(exkl. moms)
238,85 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Håller på att utgå
- Slutlig(a) 600 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 7,643 kr | 191,08 kr |
| 50 - 75 | 6,577 kr | 164,43 kr |
| 100 - 475 | 5,721 kr | 143,03 kr |
| 500 + | 5,26 kr | 131,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 171-3651
- Tillv. art.nr:
- TSM060N03CP ROG
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Taiwan Semiconductor | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 54W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 11.1nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 5.8 mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.5mm | |
| Fordonsstandard | IEC 61249 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Taiwan Semiconductor | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 54W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 11.1nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 5.8 mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.5mm | ||
Fordonsstandard IEC 61249 | ||
The Taiwan Semiconductor 30V, 80A, 3+Tab pin, N-channel power MOSFET has single transistor configuration and enhancement channel mode.
RoHS compliant
150 °C maximum operating temperature
54W max. power dissipation
Gate threshold voltage ranges between 1V-2.5V
Relaterade länkar
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 80 A 30 V Förbättring TO-252 IEC 61249
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 55 A 30 V Förbättring TO-252 IEC 61249
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 50 A 60 V Förbättring TO-252 IEC 61249
- Taiwan Semiconductor 3 Ben
- Taiwan Semiconductor IEC 61249-2-21 4 Ben
- Taiwan Semiconductor IEC 61249-2-21 3 Ben
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 51 A 40 V Förbättring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 51 A 60 V Förbättring PDFN56, TSM025
