Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 4 Ben, TO-252 IEC 61249
- RS-artikelnummer:
- 171-3617
- Tillv. art.nr:
- TSM230N06CP ROG
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
7 365,00 kr
(exkl. moms)
9 205,00 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 2,946 kr | 7 365,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 171-3617
- Tillv. art.nr:
- TSM230N06CP ROG
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Taiwan Semiconductor | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 28mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 53W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.5mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Fordonsstandard | IEC 61249 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Taiwan Semiconductor | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 28mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximal effektförlust Pd 53W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.5mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Fordonsstandard IEC 61249 | ||
The Taiwan Semiconductor 60V, 50A, 28mΩ, 3 pin, N-channel power MOSFET has single transistor configuration and enhancement channel mode.
100% avalanche tested
Fast switching
RoHS compliant
Operating temperature ranges between -55 °C to +150 °C
53W max. power dissipation
Gate threshold voltage ranges between 1.2V-2.5V
Relaterade länkar
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 50 A 60 V Förbättring TO-252 IEC 61249
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 55 A 30 V Förbättring TO-252 IEC 61249
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 80 A 30 V Förbättring TO-252 IEC 61249
- Taiwan Semiconductor 3 Ben
- Taiwan Semiconductor IEC 61249-2-21 4 Ben
- Taiwan Semiconductor IEC 61249-2-21 3 Ben
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 121 A 40 V Förbättring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 124 A 30 V Förbättring PDFN56, TSM025