Sök efter MPN

Toshiba Type N-Channel MOSFET, 30.8 A, 600 V Enhancement, 5-Pin DFN TK31V60W5

RS-artikelnummer:: 171-2526
Tillv. art.nr:: TK31V60W5
Tillverkare / varumärke:: Toshiba

Toshiba Type N-Channel MOSFET, 30.8 A, 600 V Enhancement, 5-Pin DFN TK31V60W5

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

144,14 kr

(exkl. moms)

180,18 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 24 juni 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
2 - 8	72,07 kr	144,14 kr
10 - 98	64,79 kr	129,58 kr
100 - 498	59,025 kr	118,05 kr
500 - 998	54,04 kr	108,08 kr
1000 +	49,785 kr	99,57 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 171-2526
Tillv. art.nr:: TK31V60W5
Tillverkare / varumärke:: Toshiba

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	Toshiba
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	30.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	DFN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	5
	Maximum Drain Source Resistance Rds	109mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	240W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	105nC
	Forward Voltage Vf	-1.7V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	8 mm
	Length	8mm
	Height	0.85mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Välj alla
	Brand Toshiba
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 30.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type DFN
	Mount Type Surface
	Pin Count 5
	Maximum Drain Source Resistance Rds 109mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 240W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 105nC
	Forward Voltage Vf -1.7V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 8 mm
	Length 8mm
	Height 0.85mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

RoHS-status: Undantagen

COO (Country of Origin):: CN

Switching Voltage Regulators

Fast reverse recovery time: trr = 135 ns (typ.)

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.087 Ω(typ.)

Easy to control Gate switching

Enhancement mode: Vth = 3 to 4.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.5 mA)

Toshiba Type N-Channel MOSFET, 30.8 A, 600 V Enhancement, 5-Pin DFN TK31V60W5

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

relaterade länkar