Toshiba Type N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

2 946,00 kr

(exkl. moms)

3 684,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 15 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 - 30000,982 kr2 946,00 kr
6000 - 60000,937 kr2 811,00 kr
9000 +0,882 kr2 646,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
171-2402
Tillv. art.nr:
SSM3K339R
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Toshiba

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

390mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.1nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

0.7mm

Length

2.9mm

Width

1.8 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
TH
Power Management Switches

DC-DC Converters

1.8-V gate drive voltage.

Low drain-source on-resistance

RDS(ON) = 145 mΩ (typ.) (@VGS = 8.0 V, ID = 1.0 A)

RDS(ON) = 155 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V, ID = 1.0 A)

RDS(ON) = 160 mΩ (typ.) (@VGS = 3.6 V, ID = 1.0 A)

RDS(ON) = 180 mΩ (typ.) (@VGS = 2.5 V, ID = 0.5 A)

RDS(ON) = 220 mΩ (typ.) (@VGS = 1.8 V, ID = 0.2 A)

relaterade länkar