Sök efter MPN

Toshiba Type N-Channel MOSFET, 400 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

RS-artikelnummer:: 171-2411
Tillv. art.nr:: T2N7002BK
Tillverkare / varumärke:: Toshiba

Toshiba Type N-Channel MOSFET, 400 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

726,00 kr

(exkl. moms)

906,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

6 000 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 - 3000	0,242 kr	726,00 kr
6000 - 6000	0,231 kr	693,00 kr
9000 +	0,221 kr	663,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 171-2411
Tillv. art.nr:: T2N7002BK
Tillverkare / varumärke:: Toshiba

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	Toshiba
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	400mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.75Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-0.79V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.39nC
	Maximum Power Dissipation Pd	1W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	0.9mm
	Length	2.9mm
	Width	1.3 mm
	Automotive Standard	No

	Välj alla
	Brand Toshiba
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 400mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.75Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -0.79V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.39nC
	Maximum Power Dissipation Pd 1W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 0.9mm
	Length 2.9mm
	Width 1.3 mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: TH

High-Speed Switching

ESD(HBM) level 2 kV

Low drain-source on-resistance

RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V)

RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V)

Toshiba Type N-Channel MOSFET, 400 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

relaterade länkar