Toshiba Type N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SSM3K339R

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

80,85 kr

(exkl. moms)

101,05 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 200 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 16 800 enhet(er) från den 06 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 - 1001,617 kr80,85 kr
150 - 4501,357 kr67,85 kr
500 - 9501,169 kr58,45 kr
1000 +0,997 kr49,85 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
171-2471
Tillv. art.nr:
SSM3K339R
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

390mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.1nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.7mm

Length

2.9mm

Width

1.8 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
TH
Power Management Switches

DC-DC Converters

1.8-V gate drive voltage.

Low drain-source on-resistance

RDS(ON) = 145 mΩ (typ.) (@VGS = 8.0 V, ID = 1.0 A)

RDS(ON) = 155 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V, ID = 1.0 A)

RDS(ON) = 160 mΩ (typ.) (@VGS = 3.6 V, ID = 1.0 A)

RDS(ON) = 180 mΩ (typ.) (@VGS = 2.5 V, ID = 0.5 A)

RDS(ON) = 220 mΩ (typ.) (@VGS = 1.8 V, ID = 0.2 A)

relaterade länkar