Toshiba Type N-Channel MOSFET, 400 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 T2N7002BK

Antal (1 förpackning med 100 enheter)*

32,10 kr

(exkl. moms)

40,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 200 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 6 200 enhet(er) från den 05 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
100 +0,321 kr32,10 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
171-2528
Tillv. art.nr:
T2N7002BK
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Toshiba

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

400mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.75Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.39nC

Maximum Power Dissipation Pd

1W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

-0.79V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.9mm

Standards/Approvals

No

Length

2.9mm

Width

1.3 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
TH
High-Speed Switching

ESD(HBM) level 2 kV

Low drain-source on-resistance

RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V)

RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V)

relaterade länkar