Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

57,10 kr

(exkl. moms)

71,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +5,71 kr57,10 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
171-1961
Tillv. art.nr:
BSC014N04LSATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

TDSON

Serie

OptiMOS

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

96W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

61nC

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

J-STD20 and JESD22

Längd

5.15mm

Höjd

1.1mm

Bredd

6.15 mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon BSC014N04LS is the optiMOS power-MOSFET having PG-TDSON-8 type package. It has perfect switching behaviour for fast switching applications.

Very low on-state resistance RDS(on)

100% avalanche tested

Superior thermal resistance

Relaterade länkar