Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 300 A 100 V Förbättring, 9 Ben, HSOF, IPT015N10N5

RS-artikelnummer:: 170-2320
Tillv. art.nr:: IPT015N10N5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 300 A 100 V Förbättring, 9 Ben, HSOF, IPT015N10N5

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

54 890,00 kr

(exkl. moms)

68 612,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 23 juli 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2000 +	27,445 kr	54 890,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 170-2320
Tillv. art.nr:: IPT015N10N5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	300A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Kapseltyp	HSOF
	Serie	IPT015N10N5
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	9
	Maximal drain-källresistans Rds	2mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	375W
	Framåtriktad spänning Vf	0.9V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	169nC
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Höjd	2.4mm
	Längd	10.1mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 300A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Kapseltyp HSOF
	Serie IPT015N10N5
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 9
	Maximal drain-källresistans Rds 2mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 375W
	Framåtriktad spänning Vf 0.9V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 169nC
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Höjd 2.4mm
	Längd 10.1mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

Infineon MOSFET

The Infineon HSOF-8 surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source resistance of 1.5mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has continuous drain current of 300A. It has a maximum gate-source voltage of 20V and drain-source voltage of 100V. It has a maximum power dissipation of 375W. The MOSFET has a minimum and a maximum driving voltage of 6V and 10V respectively. It has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• 100% avalanche tested

• Excellent gate charge x RDS (on) product (FOM)

• Halogen free

• Highest system efficiency

• Ideal for high switching frequency

• Increased power density

• Lead (Pb) free plating

• Low voltage overshoot

• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C

• Optimized for synchronous rectification

• Output capacitance reduction of up to 44%

• RDS (on) reduction of up to 44%

• Very low on resistance RDS (on)

Applications

• Adapter

• Light electric vehicles

• Low voltage drives

• Server power supplies

• Solar

• Telecommunication

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC61249-2-21

• JEDEC