Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20.7 A 600 V Förbättring, 4 Ben, TO-220, SPA20N60C3

RS-artikelnummer:: 170-2267
Tillv. art.nr:: SPA20N60C3XKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20.7 A 600 V Förbättring, 4 Ben, TO-220, SPA20N60C3

Antal (1 rör med 50 enheter)*

934,55 kr

(exkl. moms)

1 168,20 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 04 juni 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rör*
50 +	18,691 kr	934,55 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 170-2267
Tillv. art.nr:: SPA20N60C3XKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	Typ N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	20.7A
	Maximal källspänning för dränering Vds	600V
	Kapseltyp	TO-220
	Serie	SPA20N60C3
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	4
	Maximal drain-källresistans Rds	190mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	87nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Maximal effektförlust Pd	34.5W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	16.15mm
	Längd	10.65mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp Typ N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20.7A
	Maximal källspänning för dränering Vds 600V
	Kapseltyp TO-220
	Serie SPA20N60C3
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 4
	Maximal drain-källresistans Rds 190mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 87nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Maximal effektförlust Pd 34.5W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 16.15mm
	Längd 10.65mm
	Fordonsstandard Nej

RoHS-status: Undantagen

Infineon MOSFET

The Infineon TO-220FP-3 through-hole mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source resistance of 190mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has continuous drain current of 20.7A. It has a maximum gate-source voltage of 20V and drain-source voltage of 600V. It has a maximum power dissipation of 34.5W. The MOSFET has a driving voltage of 10V. It has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Ease of use

• Field proven CoolMOM quality

• High efficiency and power density

• High peak current capability

• High reliability

• Improved transconductance

• Lead (Pb) free

• Low gate charge (Qg)

• Low specific on state resistance

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• Outstanding cost/performance

• Periodic avalanche rated

• Ultra low gate charge

• Very low energy storage in output capacitance (Eoss) 400V

Applications

• Adapter

• PC power

• Server power supplies

• Telecommunication

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• JEDEC