Infineon N Kanal, MOSFET, 20.7 A 600 V Förbättring, 4 Ben, TO-220, SPA20N60C3
- RS-artikelnummer:
- 171-1920
- Distrelec artikelnummer:
- 304-30-528
- Tillv. art.nr:
- SPA20N60C3XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
74,70 kr
(exkl. moms)
93,38 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 37,35 kr | 74,70 kr |
| 10 - 18 | 35,56 kr | 71,12 kr |
| 20 - 48 | 31,975 kr | 63,95 kr |
| 50 - 98 | 28,785 kr | 57,57 kr |
| 100 + | 27,27 kr | 54,54 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 171-1920
- Distrelec artikelnummer:
- 304-30-528
- Tillv. art.nr:
- SPA20N60C3XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | SPA20N60C3 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 190mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 87nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 34.5W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4.85mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 16.15mm | |
| Längd | 10.65mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie SPA20N60C3 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 190mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 87nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal effektförlust Pd 34.5W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4.85mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 16.15mm | ||
Längd 10.65mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Undantagen
Infineon MOSFET
Infineon TO-220FP-3 genomgående hålmonterad N-kanal MOSFET är en ny tidsprodukt med ett dräneringskällmotstånd på 190 Mohm vid en grindkällspänning på 10 V. MOSFET har en kontinuerlig dräneringsström på 20,7 A. Den har en maximal grindkällspänning på 20 V och dräneringskällspänning på 600 V. Den har en maximal effektförlust på 34,5 W. MOSFET har en drivspänning på 10 V. Den har optimerats för lägre omkopplings- och ledningsförluster. MOSFET erbjuder utmärkt effektivitet tillsammans med en lång och produktiv livslängd utan att kompromissa med prestanda eller funktionalitet.
Funktioner och fördelar
• Lätt att använda
• Fältbeprövad CoolMOM-kvalitet
• Hög effektivitet och effekttäthet
• Hög toppströmskapacitet
• Hög tillförlitlighet
• Förbättrad transkonduktans
• Fri från bly (Pb)
• Låg grindladdning (Qg)
• Låg specifik on-state-resistans
• Driftstemperaturområden mellan -55 °C och 150 °C
• Enastående kostnad/prestanda
• Periodisk avalanche-klassad
• Ultralåg grindladdning
• Mycket låg energilagring i utgångskapacitans (Eoss) 400 V
Användningsområden
• (PB-745) Adapter
• PC-ström
• Strömförsörjning för server
• Telekommunikation
Certifieringar
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• JEDEC
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 20.7 A 600 V Förbättring, 4 Ben, TO-220, SPA20N60C3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 35 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPP60R
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPA60R
- Infineon N Kanal, MOSFET, 26 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPP60R
- Infineon N Kanal, MOSFET, 14 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CFD7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 37 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
