DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 68.8 A 100 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, DMT
- RS-artikelnummer:
- 168-9518
- Tillv. art.nr:
- DMT10H010LK3-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
18 235,00 kr
(exkl. moms)
22 795,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 28 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 7,294 kr | 18 235,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-9518
- Tillv. art.nr:
- DMT10H010LK3-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 68.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | DMT | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 11.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 53.7nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 62.5W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.58mm | |
| Bredd | 6.1 mm | |
| Höjd | 2.29mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 68.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie DMT | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 11.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 53.7nC | ||
Maximal effektförlust Pd 62.5W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.58mm | ||
Bredd 6.1 mm | ||
Höjd 2.29mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanals MOSFET, 100V till 950V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal 68.8 A 100 V Förbättring TO-252, DMT
- DiodesZetex Typ N Kanal 46.3 A 100 V Förbättring TO-252, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal 82 A 40 V Förbättring PowerDI5060, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Dubbel 7.6 A 60 V Förbättring SOIC, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal 80 A 60 V Förbättring PowerDI3333, DMT
- DiodesZetex Typ N Kanal 16.1 A 60 V Förbättring VDFN, DMT
- DiodesZetex Typ N Kanal 31.8 A 60 V Förbättring PowerDI3333, DMT
- DiodesZetex Typ N Kanal 6.5 A 60 V Förbättring UDFN, DMT
