DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 16.1 A 60 V Förbättring, 8 Ben, VDFN, DMT
- RS-artikelnummer:
- 222-2881
- Tillv. art.nr:
- DMT64M8LCG-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
98,52 kr
(exkl. moms)
123,15 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 350 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 9,852 kr | 98,52 kr |
| 50 - 90 | 9,632 kr | 96,32 kr |
| 100 - 240 | 7,538 kr | 75,38 kr |
| 250 - 990 | 6,966 kr | 69,66 kr |
| 1000 + | 6,787 kr | 67,87 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-2881
- Tillv. art.nr:
- DMT64M8LCG-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 16.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | DMT | |
| Kapseltyp | VDFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 10V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 47.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.16W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.3mm | |
| Bredd | 800μm | |
| Höjd | 3.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 16.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie DMT | ||
Kapseltyp VDFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 10V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 47.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2.16W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.3mm | ||
Bredd 800μm | ||
Höjd 3.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
DiodesZetex N-kanalförstärkningsläge MOSFET är utformad för att minimera RDS(ON) samtidigt som den bibehåller överlägsen omkopplingsprestanda. Denna enhet är idealisk för användning i strömhantering och belastningsomkopplare för bärbara datorer.
Hög konverteringseffektivitet
Låg RDS(ON) – minimerar on-state-förluster
Låg ingångskapacitans
Snabb växlingshastighet
ESD-skyddad grind
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 16.1 A 60 V Förbättring, 8 Ben, VDFN, DMT
- DiodesZetex N Kanal Dubbel, MOSFET, 10.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, VDFN-3030, DMT AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 6.5 A 60 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMT
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMT
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 31.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMT
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 75 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, DMT
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 68.8 A 100 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, DMT
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMT AEC-Q101