STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 168-6692
- Tillv. art.nr:
- STP10NK80ZFP
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 50 enheter)*
1 142,40 kr
(exkl. moms)
1 428,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 250 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 22,848 kr | 1 142,40 kr |
| 100 - 450 | 18,234 kr | 911,70 kr |
| 500 - 950 | 16,247 kr | 812,35 kr |
| 1000 - 4950 | 13,733 kr | 686,65 kr |
| 5000 + | 13,14 kr | 657,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-6692
- Tillv. art.nr:
- STP10NK80ZFP
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 900mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 40W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 72nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.4mm | |
| Bredd | 4.6 mm | |
| Höjd | 9.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 900mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 40W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 72nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.4mm | ||
Bredd 4.6 mm | ||
Höjd 9.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals MDmesh™ SuperMESH™, 700V till 1200V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 9 A 800 V Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 2.5 A 800 V Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 3 A 800 V Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 6.2 A 800 V Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 4.3 A 800 V Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 2.5 A 800 V Förbättring IPAK SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 5.2 A 800 V Förbättring TO-263 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 250 mA 800 V Förbättring SOT-223 SuperMESH
