STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 250 mA 800 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, MDmesh, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 714-1076
- Distrelec artikelnummer:
- 304-43-898
- Tillv. art.nr:
- STN1NK80Z
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
108,98 kr
(exkl. moms)
136,22 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 420 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 10,898 kr | 108,98 kr |
| 100 - 490 | 7,476 kr | 74,76 kr |
| 500 - 990 | 6,255 kr | 62,55 kr |
| 1000 - 1990 | 5,776 kr | 57,76 kr |
| 2000 + | 5,558 kr | 55,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 714-1076
- Distrelec artikelnummer:
- 304-43-898
- Tillv. art.nr:
- STN1NK80Z
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 250mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 16Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.8mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 250mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 16Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.8mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 700 V till 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 250 mA 800 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 400 mA 600 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 10.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4.3 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
