Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 9.1 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

14 796,00 kr

(exkl. moms)

18 496,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
4000 +3,699 kr14 796,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-5975
Tillv. art.nr:
IRF7907TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

9.1A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOIC

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

20.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

2W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

14nC

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Dubbel

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.5mm

Längd

5mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET 30V, Infineon


Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanals enheter i ytmonterade och blyade kapslingar. Och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar