Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 9.1 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 130-0964
- Distrelec artikelnummer:
- 304-36-987
- Tillv. art.nr:
- IRF7907TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
99,34 kr
(exkl. moms)
124,18 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 590 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 + | 9,934 kr | 99,34 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 130-0964
- Distrelec artikelnummer:
- 304-36-987
- Tillv. art.nr:
- IRF7907TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 20.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Bredd | 4mm | |
| Längd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 20.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Bredd 4mm | ||
Längd 5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.5mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals effekt-MOSFET 30V, Infineon
Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanals enheter i ytmonterade och blyade kapslingar. Och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 9.1 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 8.1 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 15 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9.3 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 6.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -3.6 A -30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET