IXYS Type N-Channel MOSFET, 53 A, 800 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

Se alla MOSFETs

Antal (1 rör med 10 enheter)*

4 096,62 kr

(exkl. moms)

5 120,78 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 380 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
10 +409,662 kr4 096,62 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-4494
Tillv. art.nr:
IXFN60N80P
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

53A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

140mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

250nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

1.04kW

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

9.6mm

Standards/Approvals

No

Width

25.42 mm

Length

38.23mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

relaterade länkar