Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 860 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

2 886,00 kr

(exkl. moms)

3 606,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +0,962 kr2 886,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
166-0612
Tillv. art.nr:
PMGD290XN,115
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Nexperia

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

860mA

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

Trench MOSFET

Kapseltyp

SC-88

Fästetyp

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

350mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

0.8V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.72nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

410mW

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.35 mm

Höjd

1mm

Längd

2.2mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
MY

Dual N-Channel MOSFET, Nexperia


MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors


Relaterade länkar