Nexperia 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 160 mA 50 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 166-0081
- Tillv. art.nr:
- BSS84AKS,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
1 869,00 kr
(exkl. moms)
2 337,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- 3 000 enhet(er) levereras från den 03 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,623 kr | 1 869,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 166-0081
- Tillv. art.nr:
- BSS84AKS,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 160mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 50V | |
| Serie | Trench MOSFET | |
| Kapseltyp | SC-88 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | 150°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 320mW | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.26nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Maximal arbetstemperatur | -55°C | |
| Bredd | 1.35 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 2.2mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 160mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 50V | ||
Serie Trench MOSFET | ||
Kapseltyp SC-88 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur 150°C | ||
Maximal effektförlust Pd 320mW | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.26nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Maximal arbetstemperatur -55°C | ||
Bredd 1.35 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 2.2mm | ||
Höjd 1mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Dual P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia 2 Typ P Kanal Isolerad 160 mA 50 V Förbättring SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad 320 mA 60 V Förbättring SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad 300 mA 60 V Förbättring SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad 350 mA 30 V Förbättring SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad 860 mA 20 V Förbättring SC-88, Trench MOSFET
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad 870 mA 20 V Förbättring SC-88, Trench MOSFET
- Nexperia 1 Typ N Kanal Enkel 320 mA 60 V Förbättring SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 2 Typ P UltraFET Trench MOSFET 6 Ben NX3008CBKS AEC-Q101
