STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET H7

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

14 904,00 kr

(exkl. moms)

18 630,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 02 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +14,904 kr14 904,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
165-6549
Tillv. art.nr:
STB100N10F7
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

80A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

STripFET H7

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

8mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

150W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

61nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

10.4mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

9.35 mm

Höjd

4.6mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-kanals STripFET™ H7-serien, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar