STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK, STripFET H7
- RS-artikelnummer:
- 786-3707
- Tillv. art.nr:
- STH310N10F7-2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
87,72 kr
(exkl. moms)
109,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 4 180 enhet(er) från den 17 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 43,86 kr | 87,72 kr |
| 20 - 98 | 42,765 kr | 85,53 kr |
| 100 - 198 | 41,755 kr | 83,51 kr |
| 200 + | 39,08 kr | 78,16 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 786-3707
- Tillv. art.nr:
- STH310N10F7-2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 180A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | STripFET H7 | |
| Kapseltyp | H2PAK | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal effektförlust Pd | 315W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 180nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 15.8mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie STripFET H7 | ||
Kapseltyp H2PAK | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal effektförlust Pd 315W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 180nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 15.8mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals STripFET™ H7-serien, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 80 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK, DeepGate, STripFET