STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET H7

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

101,07 kr

(exkl. moms)

126,34 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 205 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +20,214 kr101,07 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
786-3592
Tillv. art.nr:
STD100N10F7
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

80A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

STripFET H7

Kapseltyp

TO-252

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

8mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

120W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

61nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

2.4mm

Längd

6.6mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

6.2 mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals STripFET™ H7-serien, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar