Dual P-Channel MOSFET, 880 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 onsemi NTJD4152PT1G

RS-artikelnummer:: 163-1117
Tillv. art.nr:: NTJD4152PT1G
Tillverkare / varumärke:: onsemi

Dual P-Channel MOSFET, 880 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 onsemi NTJD4152PT1G

Pris (ex. moms) Var (i en rulle med 3000)

0,995 kr

(exkl. moms)

1,244 kr

(inkl. moms)

23425 I lager för avsändande samma dag*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet	Per rulle**
3000 +	0,995 kr	2 985,00 kr

RS-artikelnummer:: 163-1117
Tillv. art.nr:: NTJD4152PT1G
Tillverkare / varumärke:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	880 mA
Maximum Drain Source Voltage	20 V
Package Type	SOT-363
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	6
Maximum Drain Source Resistance	1 Ω
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	1.2V
Maximum Power Dissipation	350 mW
Transistor Configuration	Isolated
Maximum Gate Source Voltage	-12 V, +12 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Number of Elements per Chip	2
Typical Gate Charge @ Vgs	2.2 nC @ 4.5 V
Transistor Material	Si
Length	2.2mm
Width	1.35mm
Height	1mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

Dual P-Channel MOSFET, 880 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 onsemi NTJD4152PT1G

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor