onsemi 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 880 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 780-0614
- Tillv. art.nr:
- NTJD4158CT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 längd med 25 enheter)*
67,425 kr
(exkl. moms)
84,275 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 26 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 2,697 kr | 67,43 kr |
| 100 - 225 | 2,33 kr | 58,25 kr |
| 250 - 475 | 2,016 kr | 50,40 kr |
| 500 - 975 | 1,774 kr | 44,35 kr |
| 1000 + | 1,613 kr | 40,33 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 780-0614
- Tillv. art.nr:
- NTJD4158CT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 880mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SC-88 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 500mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.65V | |
| Maximal effektförlust Pd | 270mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Maximal arbetstemperatur | -55°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 2.2mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Bredd | 1.35 mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 880mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SC-88 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 500mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.65V | ||
Maximal effektförlust Pd 270mW | ||
Minsta arbetsstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Maximal arbetstemperatur -55°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 2.2mm | ||
Höjd 1mm | ||
Bredd 1.35 mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.