Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET, 6.2 A, 600 V, 3-Pin IPAK TK6Q60W,S1VQ(S

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal 50 enheter (levereras i ett rör)*

230,10 kr

(exkl. moms)

287,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig
Enheter
Per enhet
50 - 904,602 kr
100 - 2404,181 kr
250 - 4903,841 kr
500 +3,548 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
125-0589P
Tillv. art.nr:
TK6Q60W,S1VQ(S
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

6.2 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

DTMOSIV

Package Type

IPAK (TO-251)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

820 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.7V

Maximum Power Dissipation

60 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

1

Length

6.65mm

Width

2.3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

12 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

7.12mm

Forward Diode Voltage

1.7V

MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba



MOSFET Transistors, Toshiba

relaterade länkar