Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET, 9.7 A, 600 V, 3-Pin IPAK TK10Q60W,S1VQ(S

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal 50 enheter (levereras i ett rör)*

246,60 kr

(exkl. moms)

308,25 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig
Enheter
Per enhet
50 - 904,932 kr
100 - 2404,57 kr
250 - 4904,519 kr
500 +4,467 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
125-0533P
Tillv. art.nr:
TK10Q60W,S1VQ(S
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9.7 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

IPAK (TO-251)

Series

DTMOSIV

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

430 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.7V

Maximum Power Dissipation

80 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Typical Gate Charge @ Vgs

20 nC @ 10 V

Width

2.3mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.65mm

Height

7.12mm

Forward Diode Voltage

1.7V


MOSFET Transistors, Toshiba

relaterade länkar