Sök efter MPN

DiodesZetex Isolated 2 Type N, Type P-Channel Power MOSFET, 3.4 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOT

RS-artikelnummer:: 121-9598
Tillv. art.nr:: DMG6602SVT-7
Tillverkare / varumärke:: DiodesZetex

DiodesZetex Isolated 2 Type N, Type P-Channel Power MOSFET, 3.4 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOT

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

8 922,00 kr

(exkl. moms)

11 154,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

Dessutom levereras 75 000 enhet(er) från den 29 december 2025

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	2,974 kr	8 922,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 121-9598
Tillv. art.nr:: DMG6602SVT-7
Tillverkare / varumärke:: DiodesZetex

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	DiodesZetex
	Channel Type	Type N, Type P
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	TSOT
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	140mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	4nC
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.27W
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Length	2.9mm
	Standards/Approvals	J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101
	Height	0.9mm
	Width	1.6 mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Välj alla
	Brand DiodesZetex
	Channel Type Type N, Type P
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type TSOT
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 140mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4nC
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.27W
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Length 2.9mm
	Standards/Approvals J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101
	Height 0.9mm
	Width 1.6 mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

COO (Country of Origin):: CN

DiodesZetex Isolated 2 Type N, Type P-Channel Power MOSFET, 3.4 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOT

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

relaterade länkar