Sök efter MPN

DiodesZetex Isolated 2 Type N, Type P-Channel Power MOSFET, 4.5 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOT DMG6601LVT-7

RS-artikelnummer:: 823-2915
Tillv. art.nr:: DMG6601LVT-7
Tillverkare / varumärke:: DiodesZetex

DiodesZetex Isolated 2 Type N, Type P-Channel Power MOSFET, 4.5 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOT DMG6601LVT-7

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

82,80 kr

(exkl. moms)

103,50 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

Dessutom levereras 20 650 enhet(er) från den 29 december 2025

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
50 +	1,656 kr	82,80 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 823-2915
Tillv. art.nr:: DMG6601LVT-7
Tillverkare / varumärke:: DiodesZetex

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	DiodesZetex
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N, Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	4.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	TSOT
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	190mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.75V
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Maximum Power Dissipation Pd	1.3W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	12 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	5.4nC
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Length	2.9mm
	Height	0.9mm
	Width	1.6 mm
	Standards/Approvals	AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Välj alla
	Brand DiodesZetex
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N, Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 4.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type TSOT
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 190mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.75V
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Maximum Power Dissipation Pd 1.3W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.4nC
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Length 2.9mm
	Height 0.9mm
	Width 1.6 mm
	Standards/Approvals AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

DiodesZetex Isolated 2 Type N, Type P-Channel Power MOSFET, 4.5 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOT DMG6601LVT-7

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

relaterade länkar