onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad, Liten signal, 250 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 121-6305
- Tillv. art.nr:
- NTJD4001NT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
2 226,00 kr
(exkl. moms)
2 784,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 21 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,742 kr | 2 226,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 121-6305
- Tillv. art.nr:
- NTJD4001NT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | Liten signal | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 250mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SC-88 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.65V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.72W | |
| Minsta arbetsstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Maximal arbetstemperatur | -55°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 2.2mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Bredd | 1.35 mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp Liten signal | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 250mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SC-88 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.65V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2.72W | ||
Minsta arbetsstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Maximal arbetstemperatur -55°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 2.2mm | ||
Höjd 1mm | ||
Bredd 1.35 mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad 250 mA 30 V Förbättring SC-88 AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel 910 mA 20 V Förbättring SC-88 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad 200 mA 50 V Förbättring SC-88 AEC-Q101 AEC-Q200
- onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad 300 mA 60 V Förbättring SC-88 AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N MOSFET 6 Ben, SC-88 AEC-Q101
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad 430 mA 20 V Förbättring SOT-563
- onsemi 100 mA 80 V SC-88
- Infineon 2 Typ N Kanal Isolerad 300 mA 60 V Förbättring SC-88, OptiMOS AEC-Q101
