STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 28 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh DM2

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

69,89 kr

(exkl. moms)

87,362 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 234 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 834,945 kr69,89 kr
10 - 9834,05 kr68,10 kr
100 - 49833,15 kr66,30 kr
500 +32,37 kr64,74 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
111-6464
Tillv. art.nr:
STF35N60DM2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

28A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-220

Serie

MDmesh DM2

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

110mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

54nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal effektförlust Pd

40W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

4.6 mm

Längd

10.4mm

Höjd

16.4mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics


The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

High dV/dt capability for improved system reliability

AEC-Q101 qualified

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar