STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 28 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh DM2

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 50 enheter)*

1 646,40 kr

(exkl. moms)

2 058,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 150 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 20032,928 kr1 646,40 kr
250 +31,387 kr1 569,35 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-5890
Tillv. art.nr:
STF35N60DM2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

28A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-220

Serie

MDmesh DM2

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

110mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25V

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

54nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

40W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

16.4mm

Bredd

4.6mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.4mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-kanal MDmesh DM2-serien, STMicroelectronics


MDmesh DM2 MOSFET:erna erbjuder låg RDS(on) och med den förbättrade diodens omvända återhämtningstid för effektivitet är denna serie optimerad för fullbrygga fasförskjutna ZVS-topologier.

Hög dV/dt-kapacitet för förbättrad systemtillförlitlighet

AEC-Q101-godkänd

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.