STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 66 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM2

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 30 enheter)*

2 881,53 kr

(exkl. moms)

3 601,92 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 570 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
30 - 12096,051 kr2 881,53 kr
150 +90,00 kr2 700,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-5904
Tillv. art.nr:
STW70N60DM2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

66A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-247

Serie

MDmesh DM2

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

42mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

446W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

121nC

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

20.15mm

Bredd

5.15mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

15.75mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-kanal MDmesh DM2-serien, STMicroelectronics


MDmesh DM2 MOSFET:erna erbjuder låg RDS(on) och med den förbättrade diodens omvända återhämtningstid för effektivitet är denna serie optimerad för fullbrygga fasförskjutna ZVS-topologier.

Hög dV/dt-kapacitet för förbättrad systemtillförlitlighet

AEC-Q101-godkänd

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.