STMicroelectronics MDmesh DM2 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB18N60DM2

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

145,82 kr

(exkl. moms)

182,275 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 08 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 529,164 kr145,82 kr
10 - 9524,82 kr124,10 kr
100 - 49519,466 kr97,33 kr
500 +16,42 kr82,10 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
111-6459
Tillv. art.nr:
STB18N60DM2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

MDmesh DM2

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

290mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

90W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

10.4 mm

Height

4.6mm

Length

9.35mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics


The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

High dV/dt capability for improved system reliability

AEC-Q101 qualified

MOSFET Transistors, STMicroelectronics


relaterade länkar