STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh DM2

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

145,82 kr

(exkl. moms)

182,275 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 529,164 kr145,82 kr
10 - 9524,82 kr124,10 kr
100 - 49519,466 kr97,33 kr
500 +16,42 kr82,10 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
111-6459
Tillv. art.nr:
STB18N60DM2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

MDmesh DM2

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

290mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

90W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

20nC

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

10.4 mm

Höjd

4.6mm

Längd

9.35mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics


The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

High dV/dt capability for improved system reliability

AEC-Q101 qualified

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar