STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 103-1079
- Tillv. art.nr:
- STP13NK60Z
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 50 enheter)*
611,50 kr
(exkl. moms)
764,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 13 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 12,23 kr | 611,50 kr |
| 100 - 450 | 9,444 kr | 472,20 kr |
| 500 - 950 | 8,49 kr | 424,50 kr |
| 1000 - 4950 | 8,268 kr | 413,40 kr |
| 5000 + | 8,073 kr | 403,65 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 103-1079
- Tillv. art.nr:
- STP13NK60Z
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 550mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 66nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.6 mm | |
| Höjd | 9.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 550mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 66nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.6 mm | ||
Höjd 9.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals MDmesh™ SuperMESH™, 250V till 650V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 13 A 600 V Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 13 A 1 kV Förbättring TO-247 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 4 A 600 V Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 3 A 900 V Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 5.2 A 800 V Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 6.5 A 1 kV Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 3 A 800 V Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 9 A 800 V Förbättring TO-220 SuperMESH
