Vishay SIRA18DDP Type N-Channel Single MOSFETs, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIRA18DDP-T1-GE3

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

5 952,00 kr

(exkl. moms)

7 440,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 6 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +1,984 kr5 952,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
653-181
Tillv. art.nr:
SIRA18DDP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK

Series

SIRA18DDP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00683Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

17W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.2nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

5.15mm

Width

6.15 mm

Height

1.04mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
TH
The Vishay N-channel MOSFET optimized for high-efficiency switching in Compact power systems. It supports up to 30 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK SO-8, it utilizes TrenchFET Gen IV technology to deliver ultra-low RDS(on), fast switching, and excellent thermal performance.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

relaterade länkar