Vishay SIRS5702DP Type N-Channel Single MOSFETs, 119 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 1 enhet)*

34,16 kr

(exkl. moms)

42,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 6 000 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Längd(er)
Per Längd
1 - 934,16 kr
10 - 2433,15 kr
25 - 9932,48 kr
100 - 49927,66 kr
500 +26,10 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
653-131
Tillv. art.nr:
SIRS5702DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

119A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

PowerPAK

Series

SIRS5702DP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0072Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

44nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

245W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

0.95mm

Width

5.10 mm

Length

6.10mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in power-dense systems. It supports up to 150 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK SO-8S, it utilizes TrenchFET Gen V technology to deliver ultra-low RDS(on), reduced gate charge, and excellent thermal performance.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

relaterade länkar