Vishay SIRS4300DP Type N-Channel Single MOSFETs, 680 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 1 enhet)*

44,35 kr

(exkl. moms)

55,44 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 5 984 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Längd(er)
Per Längd
1 - 944,35 kr
10 - 2443,01 kr
25 - 9942,11 kr
100 - 49935,73 kr
500 +33,60 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
653-096
Tillv. art.nr:
SIRS4300DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

680A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK

Series

SIRS4300DP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00040Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

278W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

84nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.10 mm

Height

0.95mm

Length

6.10mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in Compact power systems. It supports up to 30 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK SO-8S, it utilizes TrenchFET Gen IV technology to deliver ultra-low RDS(on), reduced gate charge, and excellent thermal performance.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

relaterade länkar