ROHM 2 Typ N Kanal, MOSFET-arrayer, 12.5 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8KE6

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 10 enheter)*

87,47 kr

(exkl. moms)

109,34 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 14 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per tejp*
10 - 908,747 kr87,47 kr
100 - 4907,706 kr77,06 kr
500 - 9906,91 kr69,10 kr
1000 +5,466 kr54,66 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
646-615
Tillv. art.nr:
HT8KE6HTB1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET-arrayer

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

HSMT-8

Serie

HT8KE6

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

60mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6.3nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

±20 V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

14W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS, Halogen Free, Pb Free

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

The ROHM Power MOSFET with low on resistance and High power small mould package suitable for Switching and Motor drives applications.

Pb free plating

RoHS compliant

Halogen Free

100% Rg and UIS tested

Relaterade länkar