Microchip N-kanalig DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 350 mA 500 V Utarmningsläge, 3 Ben, TO-252 (D-PAK-3), DN2450

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

17 730,00 kr

(exkl. moms)

22 162,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 23 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2000 +8,865 kr17 730,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
598-985
Tillv. art.nr:
DN2450K4-G
Tillverkare / varumärke:
Microchip
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Microchip

Kanaltyp

N-kanalig DMOS FET

Produkttyp

Enkla MOSFETs

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

350mA

Maximal källspänning för dränering Vds

500V

Kapseltyp

TO-252 (D-PAK-3)

Serie

DN2450

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

10Ω

Kanalläge

Utarmningsläge

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.8V

Maximal effektförlust Pd

2.5W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

ISO/TS‑16949, RoHS

Längd

4.4mm

Höjd

2.29mm

Bredd

3 mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The Microchip Low threshold depletion-mode transistors utilize an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, these devices are free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.

High input impedance

Low input capacitance

Fast switching speeds

Low on resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

Relaterade länkar