Microchip Typ N Kanal, RF MOSFET, 170 mA 700 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-252, DN2470

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

22 354,00 kr

(exkl. moms)

27 942,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 22 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2000 +11,177 kr22 354,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
598-941
Tillv. art.nr:
DN2470K4-G
Tillverkare / varumärke:
Microchip
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Microchip

Produkttyp

RF MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

170mA

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Serie

DN2470

Kapseltyp

TO-252

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Kanalläge

Avskrivningar

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS-compliant

Längd

0.245in

Höjd

0.94in

Bredd

0.265 in

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The Microchip Low threshold depletion-mode transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FET is ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

High input impedance

Low input capacitance

Fast switching speeds

Low on resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

Relaterade länkar