STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 10 A 480 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-252, STD
- RS-artikelnummer:
- 202-4809
- Tillv. art.nr:
- STD13N60M6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 20,20 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
59,81 kr
(exkl. moms)
74,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 640 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 11,962 kr | 59,81 kr | - |
| 50 - 245 | 11,558 kr | 57,79 kr | 20,20 kr |
| 250 - 495 | 11,402 kr | 57,01 kr | 140,00 kr |
| 500 + | 11,268 kr | 56,34 kr | 347,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 202-4809
- Tillv. art.nr:
- STD13N60M6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 480V | |
| Serie | STD | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 380mΩ | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Maximal effektförlust Pd | 92W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.6mm | |
| Höjd | 10.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 2.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 480V | ||
Serie STD | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 380mΩ | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Maximal effektförlust Pd 92W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.6mm | ||
Höjd 10.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 2.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
STMicroelectronics N-kanal MDmesh M6 Power MOSFET i ett DPAK-paket har minskade omkopplingsförluster. Den har också lägre RDS(on) per område jämfört med föregående generation.
100 % avalanche-testade
Zener-skyddad
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 10 A 480 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-252, STD
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STD AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 80 A 35 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STD AEC-Q101
- Microchip N Kanal, MOSFET, 1.1 A 250 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-252, DN2625
- Microchip N Kanal, RF MOSFET, 170 mA 700 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-252, DN2470
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 100 A 1200 V Avskrivningar, 7 Ben, H2PAK, SCT
- ROHM N Kanal, MOSFET, 59 A 100 V Avskrivningar, 8 Ben, TO-252, RD3P06BBKH AEC-Q101
- ROHM N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-252, RD3G08CBLHRB AEC-Q101