Microchip N-kanalig vertikal DMOS FET Kanal, Enkla MOSFETs, 450 mA 40 V Förbättringsläge, 3 Ben, TO-92-3 (TO-226AA),

Se alla MOSFET-transistor
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
RS-artikelnummer:
598-673
Tillv. art.nr:
TN0104N8-G
Tillverkare / varumärke:
Microchip
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Microchip

Kanaltyp

N-kanalig vertikal DMOS FET

Produkttyp

Enkla MOSFETs

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

450mA

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

TN0104

Kapseltyp

TO-92-3 (TO-226AA)

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.8Ω

Kanalläge

Förbättringsläge

Framåtriktad spänning Vf

1.8V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

1W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

5.3mm

Bredd

4.2 mm

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Längd

4.2mm

Fordonsstandard

Nej

The Microchip N Channel Enhancement-Mode Vertical low-threshold transistor is built using a vertical DMOS structure and a well-established silicon-gate manufacturing process. This design combines the power handling capabilities of bipolar transistors with the high input impedance and positive temperature coefficient of MOS devices. Like all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown.

Fast switching speeds

Low on resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

Relaterade länkar